Entrada libre hasta cubrir aforo.

09:30 h – 10:00 h : Sesión inaugural

09:30 h  Palabras de bienvenida.

D. Rafael Garesse Alarcón

Vicerrector de Investigación de la UAM

09:35h Dña. Beatriz Presmanes

Jefa de Área de Programas de Investigación de la CAM

09:40 h D. Rafael Van Grieken

Vicerrector de Investigación de la URJC

09:45h Dña. Carmen Acebal Sarabia.

Vicerrectora de Investigación y Política Científica de la UCM

09:50h D. Juan José Damborenea

Vicepresidente Adjunto de Áreas Científico Técnicas del CSIC

09.55h Clausura de la Sesión inaugural

D. Rafael Garesse Alarcón

Vicerrector de Investigación de la UAM

10:00 h – 11:00 h : Hybrid Advanced Materials for Photonic Applications: PHAMA (Preside: J.M. Calleja)

11:00 h – 11:30 h : Café

11:30 h – 12:30 h : Fotónica Aplicada para la Creación de Tecnologías Ópticas y su Transferencia a Empresas Madrileñas: FACTOTEM (Preside: C. Prieto)

12:30 h – 13:30 h : Nanodispositivos eficientes de luz clásica y cuántica: Q&CLight (Preside: J. León)

13:30 h – 15:15 h : Comida (Escuela Politécnica Superior)

15:15 h – 16:15 h : Microsistemas Ópticos Sensores Resonantes: MICROSERES (Preside: I. Esquivias)

16:15 h – 16:40 h : Café

16:40 h – 17:40 h : Quantum Information Technologies in Madrid: QUITEMAD (Preside: J.A Sánchez-Gil)

17:40 h – 17:50 h : Clausura

Departamento de Física de Materiales, C-4, Sala de Seminarios (500). 15:00h. Martes 5 de Abril de 2011

Verónica Fernández Mármol,
Cryptology and Information Security Group,
Institute of Applied Physics,
Spanish National Research Council (CSIC),
Serrano 144, 28006 Madrid, Spain

“Quantum Communication enhances the limits of classical communication by exploiting fundamental properties of Quantum Mechanics. In particular quantum cryptography or more precisely Quantum Key Distribution (QKD) distributes cryptographic keys between two remote parties with absolute secrecy by taking advantage of the Heisenberg uncertainty principle. Experimental QKD systems will be reviewed together with new advances and challenges for QKD to become a competitive technology in Information Security. Finally a free-space quantum key distribution system that is being developed at the Institute of Applied Physics designed to operate at high speed at urban distances (0-3km) will be presented”.

Dr. Jose Manuel Calleja. Departamento de Física de Materiales, UAM

“MICROCAVITY-MEDIATED COUPLING OF TWO DISTANT SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS”

MIÉRCOLES, 24 de Noviembre de 2010- 12h.

INSTITUTO DE MICROELECTRÓNICA DE MADRID

CENTRO NACIONAL DE MICROELECTRÓNICA

Isaac Newton 8. Parque Tecnológico de Madrid.

28760 Tres Cantos. Madrid

Vía Q&Clight

Abstract:

Experimental studies of indirect excitons confined in a microscopic trap are reported at very low bath temperature (>350 mK). The photoluminescence dynamics is analyzed to identify quantum statistical effects. Our observations first reveal the non-linear energy relaxation characteristics of indirect excitons. It is marked by a sharp increase of the photoluminescence signal once external laser excitation has been switched off, i.e. once an external heat source is not applied. This behavior signals a regime where the exciton ground state is highly populated, at a rate which rapidly increases with the exciton concentration. At the same time, repulsive exciton-exciton interactions gradually screen disorder. This leads to a delocalization of indirect excitons which presents clear correlations with their non-linear energy relaxation. Hence, potential signatures for quantum statistical effects are discussed.

Francois Dubois - ICFO

Date/Localization: 28 de octubre, IMM, 12h

Fecha: 27 de mayo de 2010
Hora: 12:00
Lugar: C-206-1
Ponente: D. Manuel López Ponce
Título: “Procesado y caracterización de nanohilos de ZnO crecidos MOCVD”
Organismo: ISOM

RESUMEN:

El ZnO posee unas propiedades óptimas para la detección de luz UV y de gases. Además de poseer una alta energía de enlace del excitón tiene gran facilidad para obtener nanoestructuras. Los nanohilos de ZnO poseen una superficie altamente sensible al medio en el que se encuentran y debido a su alta relación superficie-volumen, se convierten en muy buenos candidatos para la fabricación de nanodispositivos. En este proyecto se ha desarrollado una técnica de procesado para el contacto de nanohilos individuales para posteriormente analizar sus propiedades de transporte.

Fecha: 27 de mayo de 2010
Hora: 12:30
Lugar: C-206-1
Ponente: D. José Capilla Osorio
Título: “Técnicas de caracterización de materiales aplicadas al nitruro de aluminio”

RESUMEN:

Para la caracterización de la cristalinidad de materiales se utiliza típicamente la Difracción de Rayos X (XRD). En esta charla se presenta la Espectrometría de Infrarrojos por transformada de Fourier (FT-IR) como una técnica complementaria en la evaluación de la calidad cristalina. El material sobre el que se mostrarán las técnicas es el nitruro de aluminio (AlN). Dada la piezoelectricidad del material elegido, se presentará también la fabricación de dispositivos BAW como medio para obtener el coeficiente de acoplo electromecánico del material.

L. Viña, Universidad Autonoma de Madrid

Las microcavidades de semiconductores son un sistema único para estudiar la física de bosones débilmente interactuantes. Sus excitaciones elementales, los polaritones—mezclas de excitones y fotones—se pueden acumular en estados macroscópicos degenerados para formar condensados.

En esta charla presentamos las características de condensados de polaritones, creados bajo excitación resonante, e ilustramos la observación de comportamiento superfluido que se manifiesta como movimiento sin fricción y circulación permanente en presencia de vórtices.

1. “Collective fluid dynamics of a polariton condensate in a semiconductor microcavity”. Nature 457, 291 (2009)
2. “Persistent currents and quantised vortices in a polariton superfluid”, Nature Physics (in press)

Lugar de Celebración:

Universidad Complutense – Seminario Interdepartamental de Física de la Materia Condensada

Miércoles 12 de mayo, 12:00 h
Aula de seminarios del departamento de Física de Materiales, UCM
Sala 124, planta 2

“SNOM probe impact on optical mode properties of a photonic crystal microcavity”

Photonic crystals (PC) provide us with an unprecedented ability to control and confine photons. In particular, PC slab structures (2D-PC), which rely on total internal reflection for the vertical optical confinement, and the photonic bandgap effect for the in-plane confinement, play an increasingly important role in nanophotonics.

When combined with defect engineering, such structures can support localized modes with small mode volumes and large quality factors. When coupled to a single emitter like a quantum dot, these PC structures can be used to enhance or inhibit the dynamics of the source. The efficiency of the coupling between the emitter and the cavity depends both on the spectral matching and the spatial overlap between the cavity mode and the emitter. To address the issue of the optimal positioning of an emitter inside a cavity it is crucial to know the actual cavity mode profile on a small enough scale.

For that purpose, near-field scanning optical microscopy (SNOM) has proved to be an invaluable tool as it gives us access to the mode profiles inside the cavity with a spatial resolution beyond what can be achieved with far-field techniques. Near-field probing yields important information such as the local spectral response of a structure, or light intensity distribution inside a nanophotonic component. However, the potential of 2D-PC structures to foster new photonic devices would be greatly enhanced if their optical properties could be modified after fabrication. In particular, for active structures, the ability to post-tune, in a reversible way, a cavity to match the emission or absorption line of an emitter is of great interest.

A near-field optical microscope (SNOM) can be used to achieve this effect.

To evaluate the ability of a SNOM probe to manipulate cavity optical modes, stick photonic crystal based cavities (named LC7) were chosen, designed and optimized to present few modes in the wavelength range of 1,55 μm. We studied theoretically the properties of the LC7 cavity and the interaction of near-field probes with the cavity modes. For that last purpose, a tip was introduced in the 3D-FDTD simulations, either in silica or in silicon. Then, 2D-PC are fabricated in InP substrates with four embedded InAsP quantum wells (QW) which photoluminescence (PL) occurs between 1250 nm and 1650 nm.

The samples were characterized by SNOM using a chemically etched silica probe and a second set of measurements were performed with a silica probe coated by 50 nm of silicon.

In this talk, the effect of the probe material on the emission wavelength and the relative induced losses, and the importance of the probe shape when observing directly and locally the field distribution with SNOM are presented.

MIÉRCOLES, 19 de Mayo de 2010- 12h.

INSTITUTO DE MICROELECTRÓNICA DE MADRID

CENTRO NACIONAL DE MICROELECTRÓNICA

Isaac Newton 8. Parque Tecnológico de Madrid.

28760 Tres Cantos. Madrid

SEMICUAM (Universidad Autónoma de Madrid), es un grupo de investigación teórica y experimental dedicado desde hace 20 años al estudio de las propiedades ópticas de nanoestructuras semiconductoras.

En los últimos años, SEMICUAM ha obtenido resultados relevantes en el campo de las propiedades ópticas de nanoestructuras semiconductoras en el límite cuántico. A continuación se enumeran algunos de ellos:

1. Extensión de las facilidades del laboratorio de caracterización óptica ultra-rápida a los rangos de IR cercano y UV y su aplicación al estudio de la dinámica de excitones en nuevos sistemas.
2. Observación de un fluido cuántico de polaritones en pozos cuánticos acoplados a microcavidades ópticas.
3. Incorporación de técnicas micro-ópticas para estudiar la estructura electrónica y propiedades vibracionales de un único QD.
4. Demostración de acoplamiento piezoeléctrico de fonones acústicos y excitones en QD y medidas ópticas de la interdifusión de iones en un único QD.
5. Desarrollo de métodos teóricos para explicar las propiedades dinámicas de condensados de Bose, así como las propiedades ópticas cuánticas de las nanoestructuras como entrelazado de fotones y métodos de medida no-destructivos.

El grupo de semiconductores del ISOM -Instituto de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología, Universidad Politécnica de Madrid- es un grupo consolidado que se dedica al crecimiento por MBE, y a la fabricación y caracterización de dispositivos basados en arseniuros y nitruros del grupo III.

En la actualidad fabrican dispositivos electrónicos (HEMTs) y optoelectrónicos, como emisores y detectores en el rango espectral desde el IR al UV. Este grupo ha sido pionero a nivel internacional en el crecimiento de nanocolumnas de III-Nitruros sobre sustratos de silicio. Las principales áreas de experiencia y resultados relacionados con el Programa son:

1. Crecimiento por MBE de nanoestructuras semiconductoras (QW, Q-discos, QDs) basados en arseniuros y nitruros del grupo III
2. Crecimiento por MBE y fabricación de LEDs nanocolumnares de homounión en el visible, y nanocavidades conteniendo discos cuánticos.
3. Fabricación de microcavidades 2D con reflectores de Bragg
4. Desarrollo de herramientas de procesado para la fabricación de dispositivos.